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3D堆叠技术打造 三星发布绿色8GB DDR3内存

  三星电子今天宣布推出全新8GB DDR3 RDIMM服务器内存条,采用最先进的Green DDR3 DRAM颗粒,使用3D芯片堆叠技术“硅通孔”(TSV)打造而来,而且已经成功通过了主要客户的测试。

  三星表示,借助3D TSV封装技术,这种8GB RDIMM内存条相比于传统产品能节省最多40%的功耗,而且有利于极大地提高内存颗粒的容量密度,幅度至少可达50%,从而弥补下代服务器平台上每个通道对应内存插槽数量减少30%的影响。

  三星指出,TSV是解决服务器既需要更大内存容量、更高性能,又注重更低性能这一矛盾问题的最佳途径。它主要是在硅基片上穿出微米级别直径的垂直孔洞,然后以铜材料填充,将更多芯片立体式地堆叠在一起,而不像传统方法那样通过细线进行水平连接。这种技术的最大好处就是信号线长度大幅缩短,总体性能并不会比单层颗粒弱。三星正计划在各种服务器领域推广这一新技术,并准备将生产工艺从现在的40nm级别推向30nm级别。

  三星还预计,3D TSV技术有望在2012年全面普及。

3D堆叠技术打造 三星发布绿色8GB DDR3内存

三星发布绿色8GB DDR3内存

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